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J-GLOBAL ID：201302233554121011   整理番号：13A0215468

V字型溝パターンがあるSi(110)基盤上で成長した歪みSiGeの構造および輸送特性

Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned Si(110) substrates

著者 (10件)： SHIRAKI Y ,  SAWANO K ,  NAKAJIMA K ,  USAMI N ,  NAKAGAWA K ,  YAMANAKA J ,  WATANABE M ,  SHIMIZU K ,  KAWAGUCHI G ,  ARIMOTO K
資料名： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻： 311  号： 3  ページ： 814-818  発行年： 2009年 
JST資料番号： O2133A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： V字型溝 ,  Si ,  基盤 ,  成長 ,  歪み ,  SiGe ,  輸送特性