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J-GLOBAL ID：201302233697859100   整理番号：13A0984625

層状ペロブスカイト構造をもつLaSrGa_1-xMg_xO_4-δの酸化物イオン伝導,平均及び局所構造

Oxide-Ion Conduction, Average and Local Structures of LaSrGa_1-xMg_xO_4-δ with Layered Perovskite Structure

著者 (4件)： KITAMURA Naoto (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  HAMAO Naoki (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN) ,  VOGEL Sven C. (Los Alamos National Lab., New Mexico, USA) ,  IDEMOTO Yasushi (Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
資料名： 電気化学および工業物理化学  (Electrochemistry)
巻： 81  号： 6  ページ： 448-453  発行年： 2013年06月05日 
JST資料番号： G0072A  ISSN： 1344-3542  CODEN： EECTFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,K₂NiF₄型層状ペロブスカイト構造をもつLaSrGa_1-xMg_xO_4-δを調製し,次いで電気伝導特性と結晶構造を調べた。伝導率測定から,LaSrGaO₄はGaの代わりにMgを部分的に用いることによって酸化物イオン伝導を示すことが分かったが,置換した試料の伝導率は,以前報告したLaGaO₃系材料より低かった。低い伝導率の理由を明らかにするために,中性子散乱データを用いるRietveld及び対分布関数(PDF)解析を行い,理論的方法として第一原理計算を行った。その結果,この材料は二次元酸化物イオン伝導経路をもち,酸素空孔はペロブスカイト層内のGaO₆の隅角部共有位置に局在化する傾向があった。更に,LaSrGaO₄系材料の低いイオン伝導率は欠陥周りの大きい歪と酸素空孔とLa³⁺の間の大きい斥力によって生ずると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 分布関数 ,  Rietveld法 ,  *導体 ,  層状化合物 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *ランタン化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *酸化物 ,  *結晶構造 ,  比率 ,  *電気伝導率 ,  イオン伝導 ,  中性子散乱 ,  計算 ,  空格子点 ,  X線回折 ,  *酸化物イオン伝導体 ,  層状ペロブスカイト ,  局所構造 ,  伝導率 ,  *イオン伝導率 ,  第一原理計算 ,  酸素空格子点
準シソーラス用語： 対分布関数 ,  酸素空孔

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  混合伝導  (BM03060U)

引用文献 (34件)：

• 1) T. Ishihara, H. Matsuda, and T. Takita, J. Am. Chem. Soc., 116, 3801 (1994).
• 2) T. Ishihara, H. Matsuda, and Y. Takita, Solid State Ionics, 79, 147 (1995).
• 3) K. Q. Huang, M. Feng, and J. B. Goodenough, J. Am. Ceram. Soc., 79, 1100 (1996).
• 4) J. Drennan, V. Zelizko, D. Hay, F. T. Ciacchi, S. Rajendran, and S. P. S. Badwal, J. Mater. Chem., 7, 79 (1997).
• 5) K. Nomura and S. Tanase, Solid State Ionics, 98, 229 (1997).

タイトルに関連する用語 (5件)： 層状ペロブスカイト ,  酸化物イオン ,  伝導 ,  平均 ,  局所構造