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J-GLOBAL ID：201302233897013680   整理番号：13A1298971

微結晶Sc₃N@C₈₀フラーレンの電気的特性

Electrical properties of microcrystalline Sc₃N@C₈₀ fullerene

著者 (6件)： TAKASE Tsuyoshi (Baiko Gakuin Univ., The School of International Languages and Cultures, Koyocho 1-1-1, 750-8511, Shimonoseki ...) ,  TAKASE Tsuyoshi (Kyushu Inst. of Technol., Dep. of Applied Sci. for Integrated System Engineering, 1-1 Senshuimachi, Tobata, 804-8550 ...) ,  SAKAINO Masamichi (Nissan Motor Co., Ltd., Dep. of Vehicle Production Engineering, 560-2, Okatsukoku, 243-0192, Atsugi-city, Kanagawa, JPN) ,  SAKAINO Masamichi (Kyushu Inst. of Technol., Dep. of Applied Sci. for Integrated System Engineering, 1-1 Senshuimachi, Tobata, 804-8550 ...) ,  KIRIMOTO Kenta (Kitakyushu National Coll. of Technol., Dep. of Electrical and Electronic Engineering, 5-20-1 shii, Kokuraminami ...) ,  SUN Yong (Kyushu Inst. of Technol., Dep. of Applied Sci. for Integrated System Engineering, 1-1 Senshuimachi, Tobata, 804-8550 ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 112  号： 4  ページ： 927-931  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： fcc構造をもつ微結晶Sc₃N@C₈₀フラーレンの電気的特性をd.c.伝導率の温度依存性とa.c.インピーダンスの双方を測定して調べた。450K以下では,Sc₃N@C₈₀試料は1.71eVのエネルギーバンドギャップをもち,印加電場の強さに依存しなかった。しかし,温度が450K以上では,1kV/cmより大きい強さの電場の下では1.22eVの小さなバンドギャップとなる相転移が起きた。a.c.インピーダンスのCole-Coleプロットから,Au/Sc₃N@C₈₀の界面の接触抵抗はAu/C₆₀の界面より小さいことも分かった。Copyright 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スカンジウム化合物 ,  *窒化物 ,  *包接化合物 ,  *フラーレン ,  微結晶 ,  *バンドギャップ ,  *電気伝導率 ,  Cole-Coleの円弧則 ,  相転移 ,  *MSM構造 ,  電子移動 ,  配位混合 ,  接触抵抗 ,  *電気化学インピーダンス
準シソーラス用語： *フラーレンC80 ,  交流インピーダンス

分類 (3件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 微結晶 ,  フラーレン ,  電気的特性