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J-GLOBAL ID：201302234035956714   整理番号：13A0735594

CdSe/ZnS量子ドットの電気泳動堆積による発光素子

Electrophoretic Deposition of CdSe/ZnS Quantum Dots for Light-Emitting Devices

著者 (3件)： SONG Katherine W. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  COSTI Ronny (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  BULOVIC Vladimir (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 25  号： 10  ページ： 1420-1423  発行年： 2013年03月13日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ITO電極/酸化亜鉛層上に電気泳動(EPD)によりCdSe/ZnSコア-シェル構造量子ドットの数粒子層を形成し,4,4′-N,N′-ジカルバゾールビフェニル(正孔輸送層)/酸化モリブデン/アルミニウム電極の蒸着により積層構造の量子ドット発光ダイオードを作製した。原子間力顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。光ルミネセンスおよびエレクトロルミネセンススペクトルを測定した。EPD法による薄膜はスピンコーティング膜に比べて膜質が優れ,量子ドットバンドギャップよりも閾電圧が低いことを強調した。スペクトルシフトの原因を考察した。

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  *硫化亜鉛 ,  *量子ドット ,  構造 ,  固体素子 ,  *発光ダイオード ,  *薄膜 ,  固液界面 ,  酸化モリブデン ,  電極 ,  蒸着 ,  積層構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  エレクトロルミネセンス ,  電圧 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： アルミニウム電極 ,  *電気泳動コーティング技術 ,  薄層 ,  発光素子 ,  閾電圧

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電極過程  (CB07040U) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  発光素子  (NC03082G)

物質索引 (1件)： 9,9′-(ビフェニル-4,4′-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)

タイトルに関連する用語 (5件)： CdSe ,  ZnS ,  量子ドット ,  電気泳動堆積 ,  発光素子