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J-GLOBAL ID：201302234242797596   整理番号：13A1130768

予測可能な量子効率的検出器のためのカスタム,誘起接合,シリコンフォトダイオードの熱成長酸化物層の光学定数と空間的均一性

Optical constants and spatial uniformity of thermally grown oxide layer of custom, induced-junction, silicon photodiodes for a predictable quantum efficient detector

著者 (5件)： WHITE M. (NIST Boulder, 325 Broadway, Boulder, Colorado 80305, USA) ,  LOLLI L. (INRIM, Strada della Cacce 91, Torino 10135, ITA) ,  BRIDA G. (INRIM, Strada della Cacce 91, Torino 10135, ITA) ,  GRAN J. (Justervesenet, P.O. Box 170, Fetveien 99, N-2027 Kjeller, NOR) ,  RAJTERI M. (INRIM, Strada della Cacce 91, Torino 10135, ITA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 24  ページ： 243509-243509-6  発行年： 2013年06月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  熱酸化 ,  *二酸化ケイ素 ,  誘電体薄膜 ,  *屈折率 ,  *膜厚 ,  均一性 ,  偏光解析法
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  分光エリプソメトリ

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 予測 ,  量子効率 ,  検出器 ,  誘起 ,  シリコン ,  フォトダイオード ,  成長 ,  酸化物層 ,  光学定数 ,  均一性