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J-GLOBAL ID：201302234406105143   整理番号：13A0953800

紫外スペクトル域用のAlInN/AlGaN分布Bragg反射器のその場成長モニタリング

In-situ growth monitoring of AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors for the UV-spectral range

著者 (4件)： BERGER Christoph (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, DEU) ,  DADGAR Armin (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, DEU) ,  BLAESING Juergen (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, DEU) ,  KROST Alois (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, DEU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 370  ページ： 87-91  発行年： 2013年05月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 360nm付近の波長用に設計した45周期までのAlInNとAlGaN λ/4層を基にして,格子整合分布Bragg反射器(DBR)を成長した。成長過程を,その場反射率,温度と曲率測定でモニタした。過渡反射率(3個の異なる波長点での)は,全工程で平滑な表面を示唆し,その様子はDBR層の個別の厚さ,つまり,ストップバンド位置に敏感に依存することを示した。過渡効果のビートを分析して,成長時でもDBRの光学特性を決定できた。成長率のゆらぎから,ストップバンド位置に予期しない変化が起るため,DBRの光学特性の評価を利用して,その後の多重量子井戸の成長パラメータを調整し,その放射波長を底部のDBRに整合する。さらに,構造内の歪状態は,曲率測定で制御でき,亀裂発生も防止できた。従って,最大反射率が99%以上のDBRを実現出来た。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *反射器 ,  *紫外スペクトル ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  多層膜 ,  格子整合 ,  *光反射 ,  反射率 ,  温度依存性 ,  帯域フィルタ ,  曲率 ,  残留歪 ,  *監視
準シソーラス用語： *Bragg反射器 ,  *窒化アルミニウムインジウム ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  モニタリング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 紫外スペクトル ,  AlGaN ,  分布Bragg反射器 ,  その場成長 ,  モニタリング