DODDS N. A. について
Vanderbilt Univ., TN, USA について
DODDS N. A. について
Sandia National Lab., NM, USA について
HOOTEN N. C. について
Vanderbilt Univ., TN, USA について
REED R. A. について
Vanderbilt Univ., TN, USA について
SCHRIMPF R. D. について
Vanderbilt Univ., TN, USA について
WARNER J. H. について
Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA について
ROCHE N. J.-H. について
Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA について
MCMORROW D. について
Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA について
WEN S.-J. について
Cisco Systems Inc., CA, USA について
WONG R. について
Cisco Systems Inc., CA, USA について
SALZMAN J. F. について
Texas Instruments, TX, USA について
JORDAN S. について
Jazz Semiconductor, CA, USA について
PELLISH J. A. について
NASA, MD, USA について
MARSHALL C. J. について
NASA, MD, USA について
GASPARD N. J. について
Vanderbilt Univ., TN, USA について
BENNETT W. G. について
Vanderbilt Univ., TN, USA について
ZHANG E. X. について
Vanderbilt Univ., TN, USA について
BHUVA B. L. について
Vanderbilt Univ., TN, USA について
IEEE Transactions on Nuclear Science について
耐放射線性 について
ラッチアップ について
SEU【シングルイベント】 について
SOI構造 について
アイソレーション【IC】 について
CMOS構造 について
リング について
固体回路部品 について
SRAM について
ガードリング について
シングルイベントラッチアップ について
半導体集積回路 について
半導体の放射線による構造と物性の変化 について
SEL について
放射線 について
強化 について
戦略 について
有効性 について
ラッチアップ について
ドミノ効果 について