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J-GLOBAL ID：201302235570892594   整理番号：13A1086810

パルスDCマグネトロンスパッタリングで調製したZrAlとZrAlN薄膜の特性化

Characterisation of ZrAl and ZrAlN Thin Films Prepared by Pulsed DC Magnetron Sputtering

著者 (6件)： SINGH Akash (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Physical Metallurgy Group, Materials Synthesis and Structural Characterisation ...) ,  KUPPUSAMI P. (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Physical Metallurgy Group, Materials Synthesis and Structural Characterisation ...) ,  THIRUMURUGESAN R. (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Physical Metallurgy Group, Materials Synthesis and Structural Characterisation ...) ,  RAMASESHAN R. (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Material Sci. Group, Surface and Nanoscience Div., 603 102, Kalpakkam, IND) ,  DASH S. (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Material Sci. Group, Surface and Nanoscience Div., 603 102, Kalpakkam, IND) ,  MOHANDAS E. (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Physical Metallurgy Group, Materials Synthesis and Structural Characterisation ...)
資料名： Transactions of the Indian Institute of Metals  (Transactions of the Indian Institute of Metals)
巻： 66  号： 4  ページ： 363-367  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： E0277A  ISSN： 0972-2815  CODEN： TIIMA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： インド (IND)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度領域300~773Kで0~10sccmの異なる窒素流量下でZr(99.9%の純度)とAl(99.9%の純度)ターゲット組み合わせ,単一パルス電源を用いた共スパッタリングにより,ZrAlとZrAlN薄膜をSi(100)基板へ成膜した。基板温度773Kで,ZrAl薄膜はhcp構造に結晶化した。窒素流量は,窒素流速範囲1~2sccmでZrAlN膜におけるfcc構造相の形成に顕著な影響を及ぼすのが分かった。基板温度の増加に伴い,ZrAl膜の電気抵抗は62~22μΩcmと低減した。一方,窒素流量の増加によって微結晶寸法と結晶構造が変化することにより電気抵抗は増大した。ナノ硬度測定では窒素流量1sccm,773Kで蒸着されたZrAlN膜はそれぞれ20と369GPaの最高硬度と弾性率を示した。Copyright 2013 Indian Institute of Metals Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *ジルコニウム合金 ,  アルミニウム含有合金 ,  *窒化アルミニウム ,  *薄膜 ,  結晶化 ,  基板温度 ,  電気抵抗 ,  弾性係数 ,  微小硬さ
準シソーラス用語： 弾性率 ,  ナノ硬度

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  調製 ,  薄膜 ,  特性化