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J-GLOBAL ID：201302235755585361   整理番号：13A1293926

グラフェン高周波素子の交流性能に対する二重ゲート制御の効果

Effect of dual gate control on the alternating current performance of graphene radio frequency device

著者 (6件)： ZHU Wenjuan (IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  LOW Tony (IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  FARMER Damon B. (IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  JENKINS Keith (IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  EK Bruce (IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  AVOURIS Phaedon (IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 114  号： 4  ページ： 044307-044307-6  発行年： 2013年07月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭素材 ,  FET【トランジスタ】 ,  *ゲート【半導体】 ,  遮断周波数 ,  相互コンダクタンス ,  利得 ,  EHF【周波数】 ,  交流 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 二重ゲート

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  交流 ,  ゲート制御