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J-GLOBAL ID：201302235964626300   整理番号：13A0413003

AuのインターカレーションによるTa/NiFe/Ta膜のスピン分極電子磁気抵抗の制御

Control of spin-polarized electron magnetoresistance in Ta/NiFe/Ta films by intercalation of Au

著者 (6件)： DING Lei (Hainan Univ., Haikou, CHN) ,  QIU Haizhu (Hainan Univ., Haikou, CHN) ,  LI Chao (Hainan Univ., Haikou, CHN) ,  XIANG Daoping (Hainan Univ., Haikou, CHN) ,  TENG Jiao (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  YU Guanghua (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 46  号： 2  ページ： 025002,1-5  発行年： 2013年01月16日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた軟磁性材料NiFeはスピントロニック素子で広く使用されている。この研究では,Auの層間層が膜の界面特性を制御するためにTa/NiFe/Ta膜中に形成された。少量のAuが2.63%まで磁気抵抗(MR)の値を増強させる。異なる界面でのインターカレーションは異なる効果を持った。基板に関する頂部(底部)界面でのAuのインターカレーションはNiFe中へのAuの弱い(強い)拡散を示す。弱い拡散で,均質なAu層が形成され,大きなMR効果を説明する。強い拡散では,Auプロセスは相対的に強いスピン-軌道相互作用を有するので,増強されたMR効果はNiFe層での分極電子のスピン-軌道散乱によって説明された。Au/NiFeとNiFe/Au界面に関するこの研究はNiFe膜の構造を更に最適化し,設計し,そしてスピン分極電子磁気抵抗を改良するための重要な基礎となる。

シソーラス用語： *インターカレーション ,  *磁気抵抗 ,  金 ,  タンタル ,  鉄合金 ,  ニッケル含有合金 ,  スピン-軌道相互作用 ,  スピン分極 ,  *軟磁性材料
準シソーラス用語： 電子スピン分極

分類 (2件)： 金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (7件)： Au ,  インターカレーション ,  Ta ,  Ta膜 ,  スピン分極 ,  電子 ,  磁気抵抗