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J-GLOBAL ID：201302236069008800   整理番号：13A0721498

カーボンナノチューブエレクトロニックス:前進

Carbon nanotube electronics - moving forward

著者 (8件)： WANG Chuan (Univ. California, Berkeley, USA) ,  TAKEI Kuniharu (Univ. California, Berkeley, USA) ,  TAKAHASHI Toshitake (Univ. California, Berkeley, USA) ,  JAVEY Ali (Univ. California, Berkeley, USA) ,  WANG Chuan (Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, USA) ,  TAKEI Kuniharu (Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, USA) ,  TAKAHASHI Toshitake (Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, USA) ,  JAVEY Ali (Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, USA)
資料名： Chemical Society Reviews  (Chemical Society Reviews)
巻： 42  号： 7  ページ： 2592-2609  発行年： 2013年04月07日 
JST資料番号： D0479B  ISSN： 0306-0012  CODEN： CSRVBR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブエレクトロニックスについての最近の研究を,1)導入,2)高純度単層カーボンナノチューブ半導体の溶液処理による薄膜トランジスタ(TFT)の作成(ナノチューブ分離とTFT作成/電気的特性/電界効果移動度/N型ナノチューブTFT/周波数応答),3)溶液処理カーボンナノチューブTFTの応用(集積回路/共形エレクトロニクス/人工電子皮膚/表示電子機器),4)フレキシブルなカーボンナノチューブ電子機器のための低コスト処理スキーム:印刷,および5)結論と展望に分けて解説した。

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  *電子技術 ,  単層カーボンナノチューブ ,  薄膜トランジスタ ,  周波数応答 ,  集積回路 ,  電子装置 ,  表示装置 ,  半導体 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  電子機器

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (1件)： 前進