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J-GLOBAL ID:201302236561129191   整理番号:13A0758407

熱電フォトニック型発光ダイオード熱ポンプの組み込まれた半導体レーザ

Semiconductor Laser Integrated with a Thermoelectroscophotonic Light Emitting Diode Heat Pump
著者 (4件):
資料名:
巻: 2012  ページ: 852-853  発行年: 2012年 
JST資料番号: T0931A  ISSN: 1092-8081  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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熱電フォトニック(TEP)効果は,光放射の過程によって,内部自己冷却と光放射を結合した役割を果たす。TEP効果は,発光ダイオード(LED)への駆動電圧が,フォトンエネルギーよりもkT/q程度小さい場合に,自発発光型LEDにおいて起こる。このバイアス条件の下で,それぞれの自発放射フォトンは,半導体のバンドギャップに等しい量のエネルギーを運ぶが,フォトンを生成するために外部電源から取り出されるエネルギーはフォトンエネルギー以下に保持される。外部電源から取り出されたエネルギーと放射フォトンのエネルギーの差が,結晶格子からの熱吸収によって補われる。本稿では,In0.2Ga0.8Asから成るレーザとGaAsを基本とするLEDから成る熱電フォトニック素子におけるTEP効果を研究した結果を報告する。これは,ヒートポンプとしても働く自発発光ダイオード光ポンプを含む半導体レーザを集積したモノリシックチップに関する初めての実験データである。発光ダイオードは,熱電フォトニック熱吸収を生み出すのに必要な電圧バイアス領域で動作させる。理想的な動作条件の下で,発光ダイオードは効率的に半導体レーザを光励起し,同時にレーザによって発生した熱を吸収し,チップに電気的にコンタクトすることが分かった。
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分類 (1件):
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半導体レーザ 
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