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J-GLOBAL ID：201302236976310797   整理番号：13A1129049

Bi_4(Ti_(1/3)Sn_(2/3))_3O_(12)ドーピングBaTiO_3-ベースX8Rセラミックスの誘電特性と微細構造

Dielectric Properties and Microstructure of Bi_4(Ti_(1/3)Sn_(2/3))_3O_(12) Doping BaTiO_3-Based X8R Ceramics

著者 (4件)： Xiao Mi (School of Electronic and Information Engineering,Tianjin Univ., Tianjin) ,  Wang Xin (School of Electronic and Information Engineering,Tianjin Univ., Tianjin) ,  Zhang Qianqian (School of Electronic and Information Engineering,Tianjin Univ., Tianjin) ,  Ding Huaming (School of Electronic and Information Engineering,Tianjin Univ., Tianjin)
資料名： Wuji Huaxue Xuebao  (Wuji Huaxue Xuebao)
巻： 28  号： 8  ページ： 1743-1748  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2431A  ISSN： 1001-4861  CODEN： WHUXEO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaTiOの_3ベースセラミックの微細構造と誘電性に対する,Bi_4(Ti_(1/3)Sn_(2/3))_3O_(12)の添加の影響を研究した。粒子サイズは著しく強化され,BaTiOの_3ベースのセラミックの焼結温度は,Bi_4(Ti_(1/3)Sn_(2/3))_3O_(12)を導入した時に,1180°Cまで下げる事が出来た。誘電性は,Bi_4(Ti_(1/3)Sn_(2/3))_3O_(12)のドーピング含量と強く関連した。キューリー温度での,誘電率ピークと静電容量の変化速度は,Bi_4(Ti_(1/3)Sn_(2/3))_3O_(12)含量が,0.5mol%から2.0mol%まで増加する時,著しく抑制され,拡大された。含量が2mol%の時,キュリーピークは目立たなくなる。Bi_4であるときに,キューリー温度は,Bi_4(Ti_(1/3)Sn_(2/3))_3O_(12)含量が0.5mol%から2.0mol%まで増加する時,131°Cから139°Cに移行する。1mol%Bi_4(Ti_(1/3)Sn_(2/3))_3O_(12)をドープすると,BaTiO_3ベースセラミックは,1930の比誘電率を示し,室温でそれを比した比誘電率の変化は,それぞれ,-55°Cで約5%と,134°Cで13%,150°Cで-8%である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： ドーピング ,  *セラミック ,  *微細構造 ,  *誘電性 ,  粒度 ,  誘電率 ,  加熱温度 ,  静電容量
準シソーラス用語： *誘電特性 ,  粒子サイズ ,  比誘電率 ,  焼結温度

分類 (1件)： セラミック・陶磁器一般  (YC03010K)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドーピング ,  セラミックス ,  誘電特性 ,  微細構造