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J-GLOBAL ID：201302237083716368   整理番号：13A1777766

メソスコピック構造中のコンダクタンス異常の可能な機構としての準安定状態形成

Metastable-state formation as a possible mechanism for the conductance anomalies in mesoscopic structures

著者 (1件)： SABLIKOV V. A. (Russian Acad. of Sciences, Fryazino Branch, Kotel’nikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, pl. Vvedenskogo ...)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 47  号： 11  ページ： 1465-1469  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子弾道接触の一次元モデルにおける準安定状態形成を調べた。そこでの接触は局在e-e相互作用がその中で働くポテンシャル障壁で表す。相互作用パラメータがある閾値を超すと障壁の自発スピン分極を伴った準安定状態が現れることを示した。準安定および完全安定状態の基底エネルギー間の差が閾値ではゼロに近づく。従って準安定状態は低温においても輸送では姿を現わし,その効果は温度と共に次第に大きくなる。主要な効果は温度上昇に伴う伝導率の低下でそれは周知の0.7伝導率異常の間に観測されるものと同様に障壁領域ポテンシャルのある範囲で起こる。Copyright 2013 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *弾道電子 ,  *メソスコピック系 ,  比率 ,  異常 ,  準安定状態 ,  *e-e相互作用 ,  *ポテンシャル障壁 ,  閾値 ,  *スピン分極 ,  *コンダクタンス ,  相転移 ,  量子ドット ,  構造 ,  *半導体薄膜 ,  接触
準シソーラス用語： *伝導率 ,  *量子構造 ,  *量子接触 ,  量子伝導

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： コンダクタンス ,  準安定状態