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J-GLOBAL ID：201302237099705919   整理番号：13A1890859

3次元原子間力顕微鏡

Three-dimensional atomic force microscopy

著者 (1件)： LEE Keibock (Park Systems, CA)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 56  号： 7  ページ： 20-22  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイス形成用フォトレジストパターンの形状,粗さなどを測定する手段として,パターンの面内方向だけでなく垂直方向(パターンの側壁)の計測も可能にする3次元原子間力顕微鏡(3D-AFM)について解説した。垂直方向の計測は「Z-scanner」と名付けたデバイスで行い,Z-scannerの動作,機能,3次元イメージ合成法,パターン表面・側壁のモルフォロジならびにノイズレベルについて,現用のCD-SEM,FIBならびに通常型AFMと比較しつつ説明した。次に,フォトレジストパターンのサイドウォールラフネス(SWR),サイドウォールアングル(SWA),ラインエッジラフネス(LER)などの実測例に基づいて3D-AFMの実力と計測能力の多様性を実証した。これらの特性はイメージの最大強度と最小強度から導出されるALC(aerial image contrast)に依存することも示した。

シソーラス用語： *原子間力顕微鏡 ,  *フォトレジスト ,  回路パターン形成 ,  *パターン形成 ,  側壁 ,  *表面粗さ ,  半導体素子 ,  半導体プロセス ,  *走査装置 ,  *モルフォロジー
準シソーラス用語： サイドウォール ,  *ラインエッジラフネス

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 3次元 ,  原子間力顕微鏡