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J-GLOBAL ID：201302237135267303   整理番号：13A0794507

ナノ磁気ロジックにおける誤り耐性技術

Error immunity techniques for nanomagnetic logic

著者 (6件)： LAMBSON Brian (Univ. California, CA) ,  GU Zheng (Univ. California, CA) ,  BOKOR Jeffrey (Univ. California, CA) ,  CARLTON David (Lawrence Berkeley National Lab., CA) ,  DHUEY Scott (Lawrence Berkeley National Lab., CA) ,  SCHOLL Andreas (Lawrence Berkeley National Lab., CA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 267-270  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ磁気ロジックは高エネルギー効率計算応用における高いポテンシャルを提供するが,信頼性に関する疑問を解決する必要がある。以前の論文と類似の配置を持つナノ磁気回路を用いると高い誤り率が熱駆動信号転送動力学の基本的結果であることが分かる。クロック力の軸に沿った安定性を誘起するナノ磁石の異方性を工夫することによって,誤り率は改善が可能な作製に依存する成分のみに限定される。将来は1GHzより高い歳差時間スケールにおけるより複雑なロジックデバイスだけでなくナノ磁石チェーンの動特性を明らかにすることに注力すべきである。その上に,マルチフェロイック材料,スピン移動トルク,そして,ナノ磁気ロジックの将来は磁気半導体などの磁気電気制御のための新低エネルギー法のたゆまぬ前進から利益を受ける。

シソーラス用語： *論理素子 ,  集積回路 ,  回路設計 ,  *耐性 ,  走査電子顕微鏡 ,  ヒストグラム ,  磁気回路 ,  *誤り率
準シソーラス用語： 誤り耐性 ,  磁気ロジック

分類 (2件)： 論理回路  (NC05070B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁気 ,  ロジック ,  誤り耐性