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J-GLOBAL ID:201302237458594842   整理番号:13A0673874

ウルツ鉱CuInS2およびCuInxGa1-xS2ナノリボン: 合成,光学的および光電的特性

Wurtzite CuInS2 and CuInxGa1-xS2 nanoribbons: synthesis, optical and photoelectrical properties
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巻:号:ページ: 1638-1648  発行年: 2013年02月21日 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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I-III-VI2半導体化合物は薄膜太陽電池における効率的な光吸収物質として注目されている。ここでは,三元系および四元系半導体であるCuInS2およびCuInxGa1-xS2のナノリボンを溶液ベース法で合成し,各種解析装置を用いてそのキャラクタリゼーションを行った。Cu1.75Sナノ結晶が最初に形成され,それがナノリボンにさらに成長させる触媒として作用することが分った。Cu+の運動性が高いためにCu1.75S中でCu+空孔の生成が促進され,このことによりCuの拡散が促進される。Cu1.75触媒中の超飽和種が濃縮され,結晶化してCuInS2やCuInxGa1-xS2相を形成する。結晶化がさらに進行するとヘテロ構造のナノロッドやナノリボンが形成される。ウルツ鉱CuInxGa1-xS2ナノリボンは優れた光活性物質であることが分る。
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分類 (2件):
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コロイド化学一般  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (5件):
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