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J-GLOBAL ID：201302237536515946   整理番号：13A0536472

リンドープおよびホウ素ドープホモエピタキシャルCVDダイヤモンド膜における光キャリア寿命およびHall効果の光侵入深さ依存性

Light penetration depth dependence of photocarrier life time and the Hall effect in phosphorous-doped and boron-doped homoepitaxial CVD diamond films

著者 (6件)： MURAYAMA Kazuro (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Tokyo 156-8550, JPN) ,  MIZOKAWA Ryo (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Tokyo 156-8550, JPN) ,  MORI Manami (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Tokyo 156-8550, JPN) ,  KATO Hiromitsu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8565, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8565, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8565, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 33  ページ： 49-53  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンドギャップが5.5eVで,電子密度が2×10¹⁸cm^-3のリンドープCVDダイヤモンド膜の光電流は,室温で5.8eVより大きいエネルギー範囲で光エネルギーが増すにつれ低下する。光キャリア寿命は,励起エネルギー5.8eVで0.3msで,励起エネルギーが増すにつれ低下する。これらから,光電流のHall効果による電子と確認される光キャリアは,表面近傍に捕獲されていることが分った。電子密度が9×10¹⁷cm^-3のホウ素ドープCVDダイヤモンド膜の光励起正孔の寿命は,RTで35msで,ホウ素密度が増すにつれ低下し,これは,Fermiエネルギーと電子密度の間の関係から説明された。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜 ,  *ダイヤモンド ,  *リン化合物 ,  *ドーピング ,  エピタクシー ,  *化学蒸着 ,  ホウ素化合物 ,  アルカン ,  水素 ,  ホスフィン ,  搬送波 ,  *キャリア寿命 ,  *Hall効果 ,  侵入度 ,  *光電流 ,  正孔 ,  バンドギャップ ,  電子密度
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  エピタキシャル成長 ,  ダイヤモンド膜 ,  リン化水素 ,  光キャリア

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (7件)： ホウ素 ,  CVD ,  ダイヤモンド膜 ,  キャリア寿命 ,  Hall効果 ,  侵入 ,  深さ依存性