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J-GLOBAL ID：201302237593000847   整理番号：13A0820523

ゲルマニウムナノ結晶金属-酸化物-半導体トランジスタのトンネル電流に対する結晶サイズの影響に関する研究

Investigation of Crystal Size Impacts on the Tunneling Current in Germanium Nanocrystal Metal-Oxide-Semiconductor Transistors

著者 (5件)： MAO L. F. (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  ZHU C. Y. (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  ZHANG L. J. (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  JI A. M. (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  LIU X. Y. (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Current Nanoscience  (Current Nanoscience)
巻： 9  号： 1  ページ： 103-106  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： W2347A  ISSN： 1573-4137  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 不明 (ARE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶ゲルマニウム(nc-Ge)のゲート電流を数値計算して,ゲート電流に対するnc-Geのサイズが及ぼす影響を理論的に調べた。等価酸化物厚を同じに保ったとき,nc-Geのサイズにゲート電流が強く依存することを示した。二酸化シリコン層厚を同じに保ったとき,ゲート電流はnc-Geサイズと共に指数関数的に増大することを示した。酸化物を横切る電場が3.0MV/cmより高いとき,Fowler-Nordheimトンネル電流へのnc-Geの誘電定数への影響は無視できることを示した。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ナノ結晶 ,  電流 ,  *結晶粒径 ,  膜厚 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  誘電率 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： ゲート電流 ,  等価酸化膜厚 ,  誘電定数 ,  *トンネル電流

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲルマニウム ,  ナノ結晶 ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  トンネル電流 ,  結晶 ,  サイズ ,  研究