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J-GLOBAL ID：201302237606499714   整理番号：13A0054937

n-BiSI薄膜:セレンドーピングと太陽電池の動作

n-BiSI Thin Films: Selenium Doping and Solar Cell Behavior

著者 (5件)： HAHN Nathan T. (Univ. Texas at Austin, Texas, USA) ,  RETTIE Alexander J. E. (Univ. Texas at Austin, Texas, USA) ,  BEAL Susanna K. (Univ. Texas at Austin, Texas, USA) ,  FULLON Raymond R. (Univ. Texas at Austin, Texas, USA) ,  MULLINS C. Buddie (Univ. Texas at Austin, Texas, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 47  ページ： 24878-24886  発行年： 2012年11月29日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池用の光電極材料の候補材料として最近発見されたBiSIへのSeドープを,BiSIの噴霧熱分解用前駆体溶液中のチオ尿素を様々な量のSeO₂で置き換えることによって行い,電気化学および固体太陽電池の双方の形態で光電極としての性能を評価した。Seドープによりバンドギャップは1.63eVから1.48eVにまで低下し,光電流の発生開始波長は800nmから880nmと長波長側にシフトした。しかしながら欠陥濃度の増加と見られる不効率の為に全体としての性能は無ドープでの0.25%の変換効率より寧ろ低下した。CuSCNを正孔輸送層とする固体太陽電池で初めて評価したが,無ドープでの0.012%の変換効率が更に低下した。今後の最適化が必要である。

シソーラス用語： 硫化物 ,  ヨウ化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *セレン ,  ドーピング ,  薄膜 ,  *太陽電池 ,  光電気化学 ,  光電極 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *薄膜太陽電池

分類 (4件)： 電池一般  (YB04010O) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： セレン ,  ドーピング ,  太陽電池