懸垂した3層グラフェンにおける最低Landau準位の微細構造

VAN ELFEREN H. J.; VELIGURA A.; TOMBROS N.; KURGANOVA E. V.; VAN WEES B. J.; MAAN J. C.; ZEITLER U.

文献

J-GLOBAL ID：201302237640259412 整理番号：13A1843756

懸垂した3層グラフェンにおける最低Landau準位の微細構造

Fine structure of the lowest Landau level in suspended trilayer graphene

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資料名：
巻： 88 号： 12 ページ： 121302.1-121302.4 発行年： 2013年09月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

2端子を付けたABC積層の懸垂した3層グラフェンの磁気輸送実験を行って,最低Landau準位の12重縮退が完全に解けることを見いだした。関連する量子Hallプラトーの明瞭さを定量的に分析して,対応する充填因子が現れる順序を決定した。結果は,最初にν=6,4,0が現れ,ν=3が続いて,最後にν=1,2,5が現れた。層の非対称性によって恐らく起きたν=4状態の出現は別にして,この順序はABC積層の3層グラフェンのHund則と一致することが分った。電荷中性点におけるギャップの開口を調べた。零磁場でギャップΔ₀=0.38meVが観測されたが,これは平行磁場中のZeeman効果によって一部閉じた。垂直磁場中では,ν=0のギャップは磁場と共に線形に増大し,裸のZeemanギャップよりも1桁大きくなった。これは,交換に駆動されたギャップがあるスピン非分極基底状態を示している。

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その他の無機化合物の電気伝導

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