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J-GLOBAL ID：201302237736682456   整理番号：13A1692845

新しい層状のフルオロスルフィドSrFBiS₂

New Layered Fluorosulfide SrFBiS₂

著者 (5件)： LEI Hechang (Brookhaven National Lab., New York, USA) ,  WANG Kefeng (Brookhaven National Lab., New York, USA) ,  ABEYKOON Milinda (Brookhaven National Lab., New York, USA) ,  BOZIN Emil S. (Brookhaven National Lab., New York, USA) ,  PETROVIC Cedomir (Brookhaven National Lab., New York, USA)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 52  号： 18  ページ： 10685-10689  発行年： 2013年09月16日 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題化合物を合成し,X線構造解析を行った。構造はLaOBiS₂に類似しており,c軸に沿ってSrF層とBiS₂層が交互に積層している。電気抵抗および熱電力の測定から,この物質は2~300°Cにて半導体の挙動を示す。また,熱伝導率は小さく,Seebeck係数は大きい。第一原理計算から,これが半導体であることを示した。この物質は新しい超伝導体の候補となりうる。

シソーラス用語： *フッ素化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  層状組織 ,  化学合成 ,  X線構造解析 ,  *結晶構造 ,  分子構造 ,  積層構造 ,  電気抵抗 ,  熱起電力 ,  *半導体 ,  熱伝導率 ,  輸送係数 ,  正方晶系 ,  温度依存性 ,  状態密度 ,  バンド構造 ,  *硫化物
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  層状構造 ,  第一原理計算 ,  熱電力

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (1件)： 層状