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J-GLOBAL ID：201302237858662197   整理番号：13A1749047

サブ20nmノードでの高アスペクト比層の検査

Inspection of high aspect ratio layers at sub 20nm node

著者 (6件)： VIKRAM Abhishek (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  LIN Kuan (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  CAMP Janay (KLA-Tencor, NY) ,  KINI Sumanth (KLA-Tencor, NY) ,  JIN Frank (KLA-Tencor, NY) ,  VENKATESAN Vinod (KLA-Tencor, NY)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8681  号： Pt.2  ページ： 86811Q.1-86811Q.6  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体プロセスにおけるFEOLモジュールの欠陥は,サブ20nmデバイスの製造歩留まりに直接影響するゲート漏れをひき起こすためにきわめて致命的な問題となる。本報告は高アスペクト比が特徴的なトレンチ加工における微細な欠陥の検出技術について述べている。開発初期に学んだKLA-Tencor2905広帯域明視野検査システムを用いて致命的な歩留まりに直結する欠陥を検出するためには,FEOL層ポストLithoとポストエッチングの二つの重要な工程に狙いを定める必要がある。ここでは,意図的にこれらの欠陥を生成して,そのすべてを検出するためのあらゆる検出ポイントに関する実験計画を検討している。

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  実験計画法 ,  *故障検出 ,  トレンチカット【加工】 ,  溝切り ,  微細加工 ,  パターン形成 ,  エッチング ,  *リソグラフィー ,  *アスペクト比 ,  計測システム ,  生産性向上
準シソーラス用語： 欠陥検出 ,  検査システム

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブ ,  ノード ,  高アスペクト比 ,  検査