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J-GLOBAL ID：201302237970123207   整理番号：13A0144968

空気中での焼鈍の際の酸素の内挿によるSiC(0001)上の高品質の準自立性2層グラフェンの生成

Formation of high-quality quasi-free-standing bilayer graphene on SiC(0001) by oxygen intercalation upon annealing in air
著者 (9件)：
OLIVEIRA Myriano H.

OLIVEIRA Myriano H. について

(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)

Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU について

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SCHUMANN Timo

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(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)

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FROMM Felix

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(Lehrstuhl fuer Technische Physik, Universitaet Erlangen-Nuernberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen, DEU)

Lehrstuhl fuer Technische Physik, Universitaet Erlangen-Nuernberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen, DEU について

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KOCH Roland

KOCH Roland について

(Lehrstuhl fuer Technische Physik, Universitaet Erlangen-Nuernberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen, DEU)

Lehrstuhl fuer Technische Physik, Universitaet Erlangen-Nuernberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen, DEU について

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OSTLER Markus

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(Lehrstuhl fuer Technische Physik, Universitaet Erlangen-Nuernberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen, DEU)

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RAMSTEINER Manfred

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(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)

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SEYLLER Thomas

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(Lehrstuhl fuer Technische Physik, Universitaet Erlangen-Nuernberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen, DEU)

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LOPES Joao Marcelo J.

LOPES Joao Marcelo J. について

(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)

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RIECHERT Henning

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(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)

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資料名：
Carbon  (Carbon)

Carbon について


巻： 52  ページ： 83-89  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ここでは,空気中での焼鈍段階によるSiC(0001)上のエピタキシャル単分子層グラフェンの2層グラフェンへの転化について報告する。準自立性を特性化する構造と電子的性質を有することをRaman散乱と光電子分光実験で立証する。単分子層グラフェンの下の(6√3×6√3)R30°緩衝層は,基板との共有結合を失って,SiC表面の酸化によりグラフェン層に変換される。炭素最上層に欠陥を引き起こさずに,酸素はSiCの表面と反応する。空気焼鈍の後に得られた高品質の2層グラフェンはp-ドーピングされて,広い面積にわたって均一になった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語：
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二分子層

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*炭化ケイ素

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空気酸化

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X線光電子分光法

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分類 (2件)：
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(YC03020V)

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