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J-GLOBAL ID：201302237989189896   整理番号：13A0827901

Hakki-Paoli法による高スタックInGaAs量子ドットレーザの利得測定

Gain Measurement of Highly Stacked InGaAs Quantum Dot laser with Hakki-Paoli Method

著者 (5件)： TANOUE Fumihiko (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  TANOUE Fumihiko (National Inst. Informatioin and Communications Technol. (NICT), Tokyo, JPN) ,  SUGAWARA Hiroharu (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  AKAHANE Kouichi (National Inst. Informatioin and Communications Technol. (NICT), Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Naokatsu (National Inst. Informatioin and Communications Technol. (NICT), Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 2  ページ： 04CG13.1-04CG13.3  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 19InGaAs量子ドット層をもつ147μm長空洞レーザダイオードを,Hakki-Paoli法を用いて,111.5mAの閾値電流(I_th)以下において研究した。100.3mA(0.9I_th)の注入電流において,正正味モード利得は,5meVの光子エネルギーに対応する1005と1043nmの範囲にあった。最大正味モード利得及び最大モード利得は,それぞれ,46.5及び60.5cm^-1であった。3.8cm^-1/mAの微分正味モード利得を,閾値電流の0.77倍において観測した。閾値電流以下で,利得飽和は現れず,78.4mA(~0.7I_th)より高い注入電流を,正味モード利得を得るために必要であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体薄膜 ,  積層構造 ,  *電流 ,  *利得 ,  *量子ドットレーザ
準シソーラス用語： *レーザダイオード ,  *閾値電流 ,  注入電流 ,  *モード利得

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (22件)：

• 1) Y. Arakawa and H. Sakaki: Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 939.
• 2) M. Asada, Y. Miyamoto, and Y. Suematsu: IEEE J. Quantum Electron. 22 (1986) 1915.
• 3) M. Grundmann and D. Bimberg: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 4181.
• 4) E. U. Rafailov, M. A. Cataluna, and W. Sibbett: Nat. Photonics 1 (2007) 395.
• 5) E. Herrmann, P. M. Smowton, H. D. Summers, J. D. Thomson, and M. Hopkinson: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 163.

タイトルに関連する用語 (4件)： スタック ,  InGaAs ,  量子ドットレーザ ,  利得測定