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J-GLOBAL ID：201302238082801139   整理番号：13A0636985

熱CVD法によるTiN成膜モデルの数値シミュレーションへの展開

著者 (5件)： 羽鳥祐耶 (宇部興産) ,  田之上健一郎 (山大 院) ,  山本浩輝 (山大 院) ,  西村龍夫 (山大 院) ,  岩元祐健 (山大)
資料名： 日本機械学会熱工学コンファレンス講演論文集  (Proceedings of Thermal Engineering Conference)
巻： 2012  ページ： 305-306  発行年： 2012年11月16日 
JST資料番号： L0417A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： この研究では,熱CVDによる管型反応装置中の窒化チタン(TiN)コーティングの数値シミュレーションを行った。反応器の軸に沿ったTiNの成膜速度分布は,ポアズイユの流れ条件下での気相反応における固相析出を考慮した2次元の熱及び物質移動方程式を解くことにより予測した。反応速度定数は気相中の固相析出,表面反応を考慮した値を使用している。計算結果は温度依存性に対しては概ね良い結果を与えているが,反応器内の総流量依存性については成膜速度分布が一致せず,説明ができていない。(著者抄録)

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  *薄膜成長 ,  化学反応 ,  *シミュレーションモデル ,  シミュレーション ,  熱CVD
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  窒化チタン

分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱CVD ,  TiN ,  成膜 ,  モデル ,  数値シミュレーション ,  展開