文献

J-GLOBAL ID：201302238094392048   整理番号：13A0941116

フォトレジスト組成物

資料名： 公知技術
号： 233  ページ： 1-104  発行年： 2013年05月21日 
JST資料番号： L3022A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,新規に開発したフォトレジスト組成物について報告する。フォトレジスト組成物とは,半導体材料の作製プロセスにおいて使用される感光性樹脂組成物であり,半導体基板上に塗布して使用される。本稿で報告するフォトレジスト組成物は,特定構造の光酸発生剤及び特定の酸分解性繰り返し単位を含む樹脂を含有することにより,露光ラチチュード及びラインウィズスラフネスが改善する。(著者抄録)

シソーラス用語： フォトレジスト ,  *リソグラフィー ,  半導体プロセス ,  *感光性高分子 ,  *微細加工 ,  フォトエッチング ,  回路パターン形成 ,  露光 ,  形状精度

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H)

タイトルに関連する用語 (1件)： フォトレジスト