文献

J-GLOBAL ID：201302238556018899   整理番号：13A1101059

半Heusler化合物LaPtBiのトポロジー的電子構造の制御に関する研究

Investigation on regulating the topological electronic structure of the half-Heusler compound LaPtBi

著者 (7件)： Zhang Xiaoming (School of Material Sciences and Engineering, Hebei Univ. Technol., State Key Lab. of Magnetism, Tianjin) ,  Liu Guodong (School of Material Sciences and Engineering, Hebei Univ. Technol., Tianjin) ,  Du Yin (State Key Lab. of Magnetism, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Liu Enke (State Key Lab. of Magnetism, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Wang Wenhong (State Key Lab. of Magnetism, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Wu Guangheng (State Key Lab. of Magnetism, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Liu Zhongyuan (State Key Lab. of Metastable Material Sciences, Yansan Univ. Technol., Qinhuangdao)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 12  ページ： 123101-1-123101-9  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく完全ポテンシャル線状拡張平面波方式を用いて,著者らは半Heusler化合物LaPtBiのトポロジー的電子構造に及ぼす化学的置換反応と1軸ひずみの影響について調査した。それはC1_b構造の立方対称性によって保護される帯域がLaPtBi化合物中のLaとのSc元素の置換またはPtとのPdの置換によるギャップを開いて形成することができることを示した。しかし,1軸ひずみを用いることによる立方格子の歪の事例において,上記のギャップが現れるだけではなく,またFermi準位を規則正しく調整することもできた。このように,このLaPtBi化合物は真のトポロジカル絶縁体になった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *位相幾何学 ,  電子構造 ,  化合物 ,  絶縁材料 ,  密度汎関数法 ,  Fermi準位 ,  ポテンシャル ,  ビスマス化合物 ,  歪 ,  置換反応 ,  格子 ,  絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *トポロジー ,  密度汎関数理論 ,  Bi化合物 ,  一軸歪 ,  立方格子

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (4件)： Heusler化合物 ,  トポロジー ,  電子構造 ,  研究