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J-GLOBAL ID：201302238825989880   整理番号：13A1227735

溶液処理したガリウム添加酸化インジウム薄膜トランジスタの性能に及ぼす酢酸の影響

Effect of acetic acid on the performance of solution-processed gallium doped indium oxide thin film transistors

著者 (6件)： PARK Jee Ho (Yonsei Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 120-749, Seoul, KOR) ,  YOO Young Bum (Yonsei Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 120-749, Seoul, KOR) ,  LEE Keun Ho (Yonsei Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 120-749, Seoul, KOR) ,  HAN Sun Woong (Yonsei Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 120-749, Seoul, KOR) ,  CHOI Won Jin (Korea Res. Inst. of Chemical Technol. (KRICT), Advanced Materials Div., 305-343, Daejeon, KOR) ,  BAIK Hong Koo (Yonsei Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 120-749, Seoul, KOR)
資料名： Journal of Sol-Gel Science and Technology  (Journal of Sol-Gel Science and Technology)
巻： 67  号： 1  ページ： 130-134  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： W0812A  ISSN： 0928-0707  CODEN： JSGTEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理したガリウム添加酸化インジウム薄膜トランジスター(TFT)に対する酢酸の影響を調べた。一般的に使用されるエタノールアミンの代わりに溶液中に酢酸を添加することにより,GIOTFTの電気的性能を大幅に強化した。結晶性を高め,酢酸が分解温度を低下させ,膜中の水酸基を削減する役割を果たしていることを実証した。酢酸溶液から形成したGIOTFTは,移動度が12.68cm²V^-1s^-1,閾値が-7.4V,オン/オフ電流比が1.07×10⁸,閾値の勾配が0.78V/decadeであった。Copyright 2013 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化インジウム ,  *ガリウム化合物 ,  *ドーピング ,  塩化インジウム ,  硝酸塩 ,  エーテル ,  脂肪族アルコール ,  アミノアルコール ,  *脂肪酸 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *スピンコーティング ,  熱処理 ,  *薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  閾値 ,  比率 ,  スイッチング ,  *薄膜 ,  脂肪族アミン ,  第一アミン ,  薬物
準シソーラス用語： GIO ,  オンオフ比 ,  酸化物薄膜 ,  硝酸ガリウム

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (3件)： 2-メトキシエタノール ,  エタノールアミン ,  酢酸

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液処理 ,  ガリウム ,  酸化インジウム ,  薄膜トランジスタ ,  酢酸