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J-GLOBAL ID：201302238851299182   整理番号：13A1623374

線形性と電力付加効率の改善に逆ボディーバイアス法を用いた24GHz CMOS電力増幅器

A 24GHz CMOS Power Amplifier Using Reversed Body Bias Technique to Improve Linearity and Power Added Efficiency

著者 (2件)： KUO Jing-Lin (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WANG Huei (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 313-315  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 線形性と電力付加効率を改善するため,逆ボディーバイアス(RBB)法を用いてCMOS技術で製作する24GHz 電力増幅器を提案,回路設計を行い,回路性能のバイス依存性を調べた。その結果,N型深井戸バイアスとボディーバイアスに基づくCMOS電力増幅器は1dB圧縮点と電力付加効率を他の性能劣化なしに改善できることを明らかにした。

シソーラス用語： サブミクロン加工 ,  *半導体集積回路 ,  バイアス ,  *電力増幅器 ,  *回路設計 ,  深井戸 ,  N型半導体 ,  線形性 ,  電力付加効率 ,  *MMIC
準シソーラス用語： *CMOS集積回路 ,  ボディバイアス

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 線形性 ,  電力付加効率 ,  ボディーバイアス ,  CMOS ,  電力増幅器