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J-GLOBAL ID：201302239007056130   整理番号：13A0015175

新しいCMOS APSセンサによる低エネルギー電子の直接検出

Direct Detection of Low-Energy Electrons With a Novel CMOS APS Sensor

著者 (8件)： ZHA Xiaoping (Univ. York, York, GBR) ,  ZHA Xiaoping (YPS Ltd., York, GBR) ,  EL-GOMATI Mohamed M. (Univ. York, York, GBR) ,  CHEN Li (Univ. York, York, GBR) ,  CHEN Li (Univ. Leeds, Leeds, GBR) ,  WALKER Chris (Univ. York, York, GBR) ,  CLARK Andy T. (Rutherford Appleton Lab., Didcot, GBR) ,  TURCHETTA Renato (Rutherford Appleton Lab., Didcot, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 12  ページ： 3594-3600  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低エネルギー電子(10keV以下)の検出は科学的分光学や顕微鏡の分野で大きな関心がもたれている。AESやXPSでは低エネルギー電子の位置感度が高い分析が必要である。背面を薄くしたCMOSアクティブピクセルセンサ(APS)での低エネルギー電子(500~2000eV)直接検出を報告する。収束電子ビームによる線形性と空間解像度を定量的に試験するためにセンサをJEOL6400F SEMに設置した。得られた結果は電子ビームエネルギーが500~2000eVで良い線形性を示した。半値全幅空間解像度は2ピクセルであり,エピ相中の電荷拡散で設定される限界である。これらの結果は,このCMOS APSセンサが低エネルギー検出に適していて,多くの応用面に直接検出の利点をもたらすことを示している。

シソーラス用語： センサ ,  *イメージセンサ ,  電子顕微鏡 ,  エネルギー ,  検出 ,  線形性 ,  空間分解能
準シソーラス用語： CMOSイメージセンサ ,  ピクセルセンサ ,  空間解像度 ,  *低エネルギー ,  *電子検出

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (3件)： CMOS ,  APS ,  エネルギー電子