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J-GLOBAL ID:201302239695751068   整理番号:13A0318378

銅カソードの有機発光デバイスにおける緩衝増進電子注入

Buffer-enhanced electron injection in organic light-emitting devices with copper cathode
著者 (8件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 511-515  発行年: 2013年02月 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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この研究において,有機発光デバイス(OLEDs)におけるカソード材料としてCuの使用を調べ,LiF層から導かれた二元電子-注入促進機構を見出した。Ag及びAuカソードデバイスにおいて以前観測されたところと異なり,CuカソードOLEDsにおけるLiF緩衝層は緩衝層厚さの最適値,その厚さが3nmよりも薄い時,性能改善においてその役割を果し始め,最適厚さの場合,デバイスは通常のAlカソードデバイスに匹敵する優れた性能を示した。観測された現象は界面反応とトンネル障壁減少機構の結合した効果の結果としての増進された電子注入に帰せられる:化学反応は界面生成の非常な初期において鍵となる役割を果す一方,トンネリングは次の段階で支配的となり,特性の大変な改善に導く。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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