文献

J-GLOBAL ID：201302239894394010   整理番号：13A1111310

Cdドープ閃亜鉛鉱BeOの電子構造とエネルギーバンド性質の研究

Study on the electronic structures and energy band properties of Cd-doped wurtzite BeO

著者 (6件)： Zheng Shuwen (Inst. of Opto-electronic Materials and Technol.,South China Normal Univ., Guangzhou) ,  Fan Guanghan (Inst. of Opto-electronic Materials and Technol.,South China Normal Univ., Guangzhou) ,  He Miao (Inst. of Opto-electronic Materials and Technol.,South China Normal Univ., Guangzhou) ,  Yao Guangrui (Inst. of Opto-electronic Materials and Technol.,South China Normal Univ., Guangzhou) ,  Chen Jun (Inst. of Opto-electronic Materials and Technol.,South China Normal Univ., Guangzhou) ,  He Longfei (Inst. of Opto-electronic Materials and Technol.,South China Normal Univ., Guangzhou)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 17  ページ： 177102-1-177102-10  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Cdドープ閃亜鉛鉱BeOの電子構造とエネルギーバンド性質を密度汎関数理論のフレームにおける一般化密度勾配近似を持つ計画波形擬ポテンシャル法によって調査する。理論結果は,価電子バンド最大値がO2p状態によって判断されて,伝導バンド最小値がBe_(1-x)Cd_xO合金の状態の総密度と部分的状態密度に基づくCd5とBe2軌道によって占有されることを示した。Be_(1-x)Cd_xOのCd含有量xが増加していて,Cd4dとO2p状態の間の斥力影響はより強化され,Be_(1-x)Cd_xOのバンドギャップは減る。同時に,バンドギャップは直接間接的直接遷移を受ける。実験結果に合っている理論値を得るために,Be_(1-x)Cd_xOのバンドギャップを直す。そのうえ,閃亜鉛鉱BeO-ZnO-CdO三元合金のエネルギーバンドギャップ,内反パラメータ,および格子定数の間の関連性を分析した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *閃亜鉛鉱 ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  密度汎関数法 ,  擬ポテンシャル法 ,  価電子バンド ,  パラメータ ,  伝導バンド ,  三元合金 ,  格子定数 ,  電子遷移
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  エネルギーバンドギャップ ,  一般化密度勾配近似 ,  密度汎関数理論 ,  直接遷移

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cd ,  ドープ ,  閃亜鉛鉱 ,  BeO ,  電子構造 ,  エネルギーバンド ,  性質 ,  研究