文献

J-GLOBAL ID：201302239972531798   整理番号：13A0491937

ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能

Design and performance of pseudo-spin-MOSFETs using nano-CMOS devices

著者 (19件)： 周藤悠介 (東京工大 像情報工研) ,  周藤悠介 (JST-CREST) ,  周藤悠介 (神奈川科学アカデミー) ,  山本修一郎 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  山本修一郎 (JST-CREST) ,  介川裕章 (物質・材料研究機構) ,  介川裕章 (JST-CREST) ,  WEN ZhenChao (物質・材料研究機構) ,  WEN ZhenChao (JST-CREST) ,  中根了昌 (東大 大学院工学系研究科) ,  中根了昌 (JST-CREST) ,  三谷誠司 (物質・材料研究機構) ,  三谷誠司 (JST-CREST) ,  田中雅明 (東大 大学院工学系研究科) ,  田中雅明 (JST-CREST) ,  猪俣浩一郎 (物質・材料研究機構) ,  猪俣浩一郎 (JST-CREST) ,  菅原聡 (東京工大 像情報工研) ,  菅原聡 (JST-CREST)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 421(SDM2012 138-149)  ページ： 43-46  発行年： 2013年01月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文では,ナノCMOS技術を用いた擬似スピンMOSFETの性能評価と設計法の確立を行った。また,ベンダーMOSFETと我々が開発したスピン注入磁化反転MTJをハイブリッド集積化することによって擬似スピンMOSFETを作製し,擬似スピンMOSFETの動作検証・機能実証を行った。さらに,擬似スピンMOSFETを応用した不揮発性SRAMおよび不揮発性ディレイフリップフロップを検討し,これらを用いた不揮発性パワーゲーティングのアーキテクチャを開発した。(著者抄録)

シソーラス用語： ナノ構造 ,  *CMOS構造 ,  *MOSFET ,  *電子スピン ,  *磁気トランジスタ ,  *スピントロニクス ,  電力制御 ,  *不揮発性メモリ ,  SRAM ,  双安定回路 ,  磁気抵抗効果 ,  トンネル接合
準シソーラス用語： スピンMOSFET ,  パワーゲーティング ,  スピントランジスタ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノCMOS ,  擬似 ,  スピンMOSFET ,  設計