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J-GLOBAL ID：201302240493859167   整理番号：13A0350985

Arクラスターイオンを用いた有機多層および3D構造の分析

Analysis of organic multilayers and 3D structures using Ar cluster ions

著者 (5件)： NIEHUIS E. (ION-TOF GmbH, Muenster, DEU) ,  MOELLERS R. (ION-TOF GmbH, Muenster, DEU) ,  RADING D. (ION-TOF GmbH, Muenster, DEU) ,  CRAMER H.-G. (ION-TOF GmbH, Muenster, DEU) ,  KERSTING R. (TASCON GmbH, Muenster, DEU)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 45  号： 1  ページ： 158-162  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い深さ分解能での有機多層の深さプロファイリングのための大きなArクラスターイオンの能力を議論した。典型的な有機材料に対する収量および深さ分解能へのクラスターサイズおよびエネルギーの影響を調べた。得られた結果から,スパッタリング収量体積と原子当たりのエネルギーとの間に線形関係があることがわかった。任意の原子当たりのエネルギーで,スパッタリング収量体積は原子の数と共に増大し,一定エネルギーではクラスターサイズの増大と共に減少した。OLED層に対しておよびNPLのIrganoxデルタ層に対して300nmの深さまでの深さ分解能を研究し,深さ分解能が衝撃クレーターのサイズに相関付けられ,粗くなることによって主として決定付けられた。2.5から5kevエネルギーまででの大きなArクラスターで約5nmの深さ分解能が得られ,低いエネルギーでは深さでほぼ一定であった。しきい値に近いエネルギー/原子に対してリップル形成が観測され,高速試料回転によって完全に排除された。最後に,デュアルビームモードでの有機半導体デバイスの3D分析の見通しを議論し,高い深さ分解能での複雑な有機材料の3D分析が可能であることがわかった。

シソーラス用語： *アルゴン ,  *多層 ,  クラスタイオン ,  *深さプロフィル ,  スパッタリング ,  発光ダイオード ,  半導体素子 ,  構造解析 ,  *有機半導体 ,  二次イオン質量分析 ,  *イオンビーム ,  イリジウム錯体
準シソーラス用語： TOF-SIMS ,  *クラスタイオンビーム ,  *三次元構造 ,  有機半導体デバイス ,  OLED

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  スパッタリング  (BK16110U) ,  質量分析  (CC03013N)

物質索引 (1件)： 2-フェニルピリジン

タイトルに関連する用語 (5件)： Ar ,  クラスターイオン ,  多層 ,  3D ,  分析