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J-GLOBAL ID：201302240506629271 整理番号：13A1324522

メソスコピックLaAlO₃/SrTiO₃素子におけるゲート電圧印加に対する異常な応答

Anomalous response to gate voltage application in mesoscopic LaAlO₃/SrTiO₃ devices

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巻： 87 号： 12 ページ： 125409.1-125409.5 発行年： 2013年03月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

強く相関した酸化物の界面はそれらの構成化合物とは大きく異なる様々な物理現象を示す。最近,LaAlO₃/SrTiO₃の界面の二次元電子ガスが特定の電子密度で金属-絶縁体転移をすると示唆された。本研究では,ブリッジ幅が1.5~10μmのLaAlO₃/SrTiO₃単一界面ヘテロ構造から作製した一連の狭いメサ構造素子の電気抵抗とHall測定を行った。Hall棒とゲートの間に素子構造に起因する比較的大きな容量を示唆し,静電モデルで説明できた。二バンドモデルは輸送挙動と一致し,これらのバンドの少なくとも一つにおける金属-絶縁体転移を示唆した。

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