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J-GLOBAL ID：201302240547254266   整理番号：13A1449200

ニッケル炭化物超伝導体Th₂NiC₂の電子微細構造

Electronic fine structure in the nickel carbide superconductor Th₂NiC₂

著者 (2件)： QUAN Y. (Univ. California, California, USA) ,  PICKETT W. E. (Univ. California, California, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 1  ページ： 014501.1-014501.7  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近ScによるTh合金化で11.2Kに増えるTc=8.5Kを持つ標記超電導体中心正方晶I4/mmm Th₂NiC₂が電子スペクトルの微細構造を持つ事を,密度汎関数に基づく第一原理計算で発見した。化学量論とScによる合金時のTh₂NiC₂の電子特性と振動構造用の密度関数理論(DFT)適用が報告される。結晶構造はMossとJeitschkoの論文を引用し,Th₂NiC₂の空間群は基本セル当り5個の原子と格子定数がa=3.758Å,c=12.356Åの正方晶I4/mmmである。本シナリオでは,電子ドーピングは状態のフェルミレベル密度と超伝導臨界温度を増加する。フェルミレベル低下は強いNi-C結合の結果で有り,フォノン分散曲線は70meVまでの分布分枝の個別クラスタを表す。

シソーラス用語： *超伝導体 ,  *炭化物 ,  *ニッケル化合物 ,  タリウム化合物 ,  正方晶系 ,  密度汎関数法 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  *ドーピング ,  Fermi準位 ,  *臨界温度 ,  フォノン分散 ,  *電子スペクトル ,  *微細構造
準シソーラス用語： 電子ドーピング

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： ニッケル ,  炭化物 ,  超伝導体 ,  電子 ,  微細構造