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J-GLOBAL ID：201302240742967552   整理番号：13A1032764

単結晶InSbの小型Fresnelレンズアレイのダイヤモンド旋削

Diamond turning of small Fresnel lens array in single crystal InSb

著者 (4件)： JASINEVICIUS R G (USP, SP, BRA) ,  DUDUCH J G (USP, SP, BRA) ,  CIRINO G A (Universidade Federal de Sao Carlos, SP, BRA) ,  PIZANI P S (Universidade Federal de Sao Carlos, SP, BRA)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 23  号： 5  ページ： 055025,1-12  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶InSbのFresnelレンズアレイの製造のための延性モード微細加工プロセスを述べた。加工時の延性応答は,各半導体結晶に固有である,遷移圧力にあるとされた。単結晶InSb(110)を低い遷移圧力値を持つ半導体結晶が単点ダイヤモンド旋削のような材料除去プロセスにより延性応答を提供する,概念に基づき選択した。3つの異なる加工方式を試験し,InSbは良い延性応答を提供するにかかわらず,加工方式は損傷フリーの表面と鋭い端を持つマイクロ構造を創るのに非常に重要であることを示した。Raman分光法を,材料面とのツール切断端の接触により誘起された構造変化をプローブするのに用いた。結果は,加工表面付近に短い領域の構造乱れと圧縮残留応力の存在を示した。これらは300°Cで30分のアニールで元の構造特性に回復することを示した。最後に,結果は,単結晶半導体に’機械リソグラフィー’プロセスを実行することが可能である,ことを示した。

シソーラス用語： 旋削 ,  単結晶 ,  アンチモン化インジウム ,  *Fresnelレンズ ,  *アレイ ,  切削 ,  微細加工 ,  微細構造 ,  Raman分光法 ,  変化 ,  プローブ ,  残留応力 ,  リソグラフィー
準シソーラス用語： *ダイヤモンド旋削 ,  ミクロ構造 ,  圧縮残留応力 ,  延性モード切削 ,  構造変化

分類 (1件)： その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  InSb ,  Fresnelレンズ ,  アレイ ,  ダイヤモンド旋削