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J-GLOBAL ID：201302240910872724   整理番号：13A1242371

pMOSFETにおける基本的デバイスパラメータに及ぼすDCストレス負バイアス温度不安定性効果の依存性

Dependence of the DC stress negative bias temperature instability effect on basic device parameters in pMOSFET

著者 (4件)： Cao JianMin (Coll. of Electronic Sci. and Technol., Shenzhen Univ., Shenzhen) ,  He Wei (Coll. of Electronic Sci. and Technol., Shenzhen Univ., Shenzhen) ,  Huang SiWen (Coll. of Electronic Sci. and Technol., Shenzhen Univ., Shenzhen) ,  Zhang XuLin (Coll. of Electronic Sci. and Technol., Shenzhen Univ., Shenzhen)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 21  ページ： 217305-1-217305-8  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： チャンネル長,ゲート酸化物厚さ,ドーピング濃度などの基本的デバイスパラメータに及ぼすDCストレス負バイアス温度不安定性(NBTI)効果の依存性を分析するために,著者らは半導体素子方程式と共にNBTIの水素分子ドリフト拡散モデルを解決する。結果は装置の既存の実験データ,基本法則,および物理と比較する。それはNBTIの信頼性研究に必要なものである。解析結果は,NBTI効果がチャネル長さ変化によって影響されないが,主にゲート酸化膜層の厚みによって影響されることを示した。ゲート酸化膜厚み薄肉化とゲート酸化膜層電場エンハンスメント効果は一貫していて,指数法則の方法でデバイス劣化を決定する。チャネルドーピング濃度上昇でNBTI効果は減るだろう。それは装置チャネル表面正孔濃度が減るためであるが,装置ソースドレイン漏れ電流が極低レベル(低漏洩装置)である値へのドーピング濃度増加で,MBTI効果が明らかに増強される。NBTIを理解して高性能装置を設計するのにこれらは役立っている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *パラメータ ,  MOSFET ,  計算機システム ,  長さ ,  酸化膜 ,  数学モデル ,  半導体素子 ,  測定データ ,  キャリア密度
準シソーラス用語： NBTI ,  pMOSFET ,  ゲート酸化膜 ,  チャネル長 ,  拡散モデル ,  実験データ ,  正孔濃度 ,  負バイアス温度不安定性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： pMOSFET ,  パラメータ ,  DC ,  ストレス ,  負バイアス温度不安定性 ,  依存性