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J-GLOBAL ID：201302241142031274   整理番号：13A0853714

Heイオンビーム加工法を用いた極端スケールのグラフェン単一電子トランジスタの作製

Fabrication of extremely-scaled graphene single-electron transistors by using He ion beam milling technology

著者 (8件)： KALHOR Nima (Univ. of Southampton) ,  HANG Shuojin (Univ. of Southampton) ,  IWASAKI Takuya (JAIST) ,  MOKTADIR Zakaria (Univ. of Southampton) ,  BODEN Stuart (Univ. of Southampton) ,  MURUGANATHAN Manoharan (JAIST) ,  MIZUTA Hiroshi (Univ. of Southampton) ,  MIZUTA Hiroshi (JAIST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.27P-G12-43  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 炭素材 ,  フレーク ,  *イオンビーム加工 ,  イオン ,  ヘリウム ,  イオン顕微鏡法 ,  ナノメータ加工 ,  *単一電子トランジスタ ,  量子ドット ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ヘリウムイオン

分類 (2件)： その他の接合  (BM03088W) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (6件)： He ,  イオンビーム加工 ,  スケール ,  グラフェン ,  単一電子トランジスタ ,  作製