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J-GLOBAL ID:201302241511026638   整理番号:13A0249279

無定形のCo60Fe20B20薄膜の熱,磁気,電気および付着の各特性

Thermal, magnetic, electric, and adhesive properties of amorphous Co60Fe20B20 thin films
著者 (2件):
資料名:
巻: 552  ページ: 283-288  発行年: 2013年03月05日 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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この実験ではdcマグネトロンスパッタリングでCo60Fe20B20ターゲットからガラス基材に1000~5000Åの厚さの単層のCo60Fe20B20薄膜を析出した。基材温度(Ts)を室温(RT)に保持した試料と,TA=150°C,250°C,350°Cで各1hポストや焼なましした試料を作製し,熱,磁気,電気および付着の特性を分析した。X線回折(XRD)によると薄膜は室温で無定形構造で,ポスト焼きなましで結晶化もしくはナノ結晶化が進行した。無定形CoFeBの結晶構造への変化を解明するためにKissingerの式で結晶化の活性化エネルギー(Q)を計算した。活性化エネルギーは上に凹の形を持ち,活性化エネルギーの臨界厚さは非晶質状態で3000Åであった。蒸着したの3000ÅのCoFeB薄膜は他の薄膜よりも容易に結晶化状態を形成した。低周波数交流磁化率(χac),飽和磁化(Ms),残留磁化(Mr)を含む磁気特性のプロットは下に凹の形であった。CoFeB薄膜のχacの特性は150と250°Cのポスト焼きなましで磁気ナノ結晶質異方性のために増加した。各状態で3000Å厚は臨界点であった。しかし,磁気スピン結合の弱化作用のためにTA=350°Cで1hのポスト焼きまましではχacは減少した。各状態のMsとMrの結果はχacと同様の傾向を示した。蒸着したの薄膜では結晶粒界と表面が電子を散乱するため,その電気抵抗率(ρ)はポスト焼きなましの薄膜のものを超えていた。また,薄い薄膜ほど高いρを持っていた。CoFeB薄膜の表面エネルギーと密着性は,フィッティングしたKissingerプロットと同じ傾向に従った。この結果は結晶化が強いほど表面エネルギーが低くなり,密着が弱くなることを示唆している。表面エネルギーのプロットは上に凹の形を示し,すべての場合に臨界厚さは3000Åであった。上の特性から,CoFeB薄膜は,磁気記録媒体,半導体,種層などの用途に利用できる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (6件):
分類
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金属薄膜  ,  非晶質金属の構造  ,  金属の結晶構造  ,  磁気的性質  ,  電気的性質  ,  その他の物理的・機械的性質 
タイトルに関連する用語 (3件):
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