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J-GLOBAL ID：201302241528310909   整理番号：13A0833980

Biクラスタ化によるInAs(Bi)量子ドットの光ルミネセンス増強

Photoluminescence Enhancement of InAs(Bi) Quantum Dots by Bi Clustering

著者 (10件)： REYES Daniel F. (Universidad de Cadiz, Cadiz, ESP) ,  GONZALEZ David (Universidad de Cadiz, Cadiz, ESP) ,  BASTIMAN Faebian (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  DOMINGUEZ Lara (Universidad de Cadiz, Cadiz, ESP) ,  HUNTER Cristopher J. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  GUERRERO Elisa (Universidad de Cadiz, Cadiz, ESP) ,  ROLDAN Manuel A. (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  MAYORAL Alvaro (Universidad de Zaragoza, Zaragoza, ESP) ,  DAVID John P.R. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  SALES David L. (Universidad de Cadiz, Cadiz, ESP)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 4  ページ： 042103.1-042103.4  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs_1-xBi_x/GaAs量子ドット中のBiの分布を原子柱分解電子顕微鏡法と撮像シミュレーション技術により解析した。InAs成長時のBiフラックスが<0.03ML/sのとき,不規則なBi分布が観測され,量子ドットの形状や大きさは有意に変化せず,弱い赤方偏移が生じ,光ルミネセンスが劣化した。しかし,Biフラックスが0.06ML/sのとき,量子ドットへの横方向In偏析が増加し,Biがそれらの内部に取込まれた。その結果,この試料では強い赤方偏移とピーク強度の増加が見られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： クラスタ化 ,  ビスマス ,  *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  赤方偏移 ,  *光ルミネセンス ,  放射強度 ,  発光スペクトル

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (22件)：

• TIXIER, S. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2245
• FANG, Z. M. J. Appt. Phys. 1990, 68, 1187
• FRANCOEUR, S. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3874
• VERMA, P. J. Appl. Phys. 2001, 89, 1657
• ZVONKOV, B. N. Nanotechnology. 2000, 11, 221

タイトルに関連する用語 (6件)： Bi ,  クラスタ化 ,  InAs ,  量子ドット ,  光ルミネセンス ,  増強