官能化数層グラフェンにおける磁気電気効果

SANTOS Elton J. G.

文献

J-GLOBAL ID：201302241635425662 整理番号：13A1322420

官能化数層グラフェンにおける磁気電気効果

Magnetoelectric effect in functionalized few-layer graphene

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資料名：
巻： 87 号： 15 ページ： 155440.1-155440.7 発行年： 2013年04月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

外部電場を受ける数層グラフェンにおける化学収着吸着物質により誘起される磁気モーメントの問題を扱った。徹底的なab initio電子構造計算により,共有結合で官能化されたグラフェンの磁気的性質を外部電場により操作できることを示した。官能化単層グラフェンは外部電場により改変されないが,N層(N≧2)グラフェンはモーメントのゲートバイアスへの密接な依存性を示した。この効果の大きさは分子および下部格子吸着部位に依存するが,考察した特定の吸着物質には依存せず,用いた官能化にも関わらず普遍的挙動を指している。この挙動は,バンド構造の特徴そして電気バイアスにより駆動される層間の電荷不均衡によって説明された。計算した磁気電気係数は強磁性薄膜および半金属表面で見出される値と同等であった。低バイアスでの半金属性格も観測した。これはC表面でのスピン偏極キャリアーの容量的な空乏化あるいは蓄積に起因した。得られた結果は,官能化グラフェンにおける電場と磁性間の相互作用を理解し,制御するための有望な方法を指摘している。

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その他の無機化合物の磁性

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