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J-GLOBAL ID:201302241922940268   整理番号:13A1008634

アルカリエッチング処理を用いたナノポーラスシリコンの作製

Fabrication of nano-porous silicon using alkali etching process
著者 (4件):
資料名:
巻: 100  ページ: 184-187  発行年: 2013年06月01日 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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アルカリエッチング処理を用いたポーラスシリコン(PS)の作製に対する最も良い条件を決定し考察を行った。n-型Siウエハの異方性エッチングの表面化学を概説し,湿潤剤を用いたアルカリ溶液中におけるシリコンの異方性化学エッチングについて議論した。異方性エッチングの結果として,結晶シリコンからのポーラスシリコン製造に影響する主要な因子は,エッチング溶液濃度(KOH),湿潤剤(n-プロパノール),温度およびエッチング処理時間である。n-Si(211)の結晶学的面のn-PS(100)への転移が,80°Cのエッチング温度,5hのエッチング時間において{(2wt%)KOH+(15vol%)n-プロパノ-ル}を用いることにより実現された。これらの結果は,1015cm-1におけるピークを検出するFTIRを用いて確認された。ポーラスナノシリコンに対する15nmの粒子サイズがXRDデータから計算された。直径(49-349)nm,深さ25μmで,層当りのピッチ(4.203×10-6-6.92×10-6)μmのポアが上述と同じ条件に対して得られた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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