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J-GLOBAL ID:201302242050781613   整理番号:13A1494396

MoドープZnO光触媒の調製,特性化と光触媒性能

Preparation,characterization and photocatalytic performance of Mo-doped ZnO photocatalysts
著者 (7件):
資料名:
巻: 55  号:ページ: 1802-1810  発行年: 2012年 
JST資料番号: C2575A  ISSN: 1674-7291  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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種々のMo-ドーパント濃度をもつ一連のMoドープZnO光触媒を粉砕-焼成法によって調製した。これら光触媒の構造は,N_2物理吸着,X線回折(XRD),走査型電子顕微鏡観察(SEM),Fourier変換赤外(FTIR)分光学,光ルミネセンス(PL)発光分光法及びUV-vis拡散反射分光法(DRS)を含むいろいろな方法によって特徴付けた。Mo(6+)は半径(0.065nm)がZn(2+)(0.083nm)の半径より小さくなることでZnOの結晶格子に入ることが判った。XRDの結果はMo(6+)がZnO結晶の成長を抑制することを示した。FTIR分光学結果は,2wt.%Mo-ドーピングをもつZnOが純粋なZnOより高レベルの表面ヒドロキシル基を持つことを示した。PL分光計は,2wt.%Mo-ドーピングをもつZnOが光生成した正孔-電子対の再結合に起因して390nmに放出ピーク強度の最大の減少を示した。MoドープZnO光触媒の活性は,紫外線(λ=365nm)照射の下で酸オレンジIIの光触媒分解で調査した。2wt.%MoドーピングのZnOが純粋のZnOよりはるかに高い光触媒活性と安定性に示すことが判った。MoドープZnOの高い光触媒性能は,ZnOの表面特性の良好な改良,より高い結晶化度及び光生成正孔-電子(e-/h+)対のより低い再結合率に起因する。さらに,未ドープMo種はMoO_3の形態で存在し,e-/h+対の分離が一層支持するMoO_3/ZnOヘテロ接合を形成する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
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光化学一般 

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