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J-GLOBAL ID：201302242222631449   整理番号：13A0493778

有機薄膜トランジスター用の小分子-高分子ブレンド半導体の垂直に偏析した組織と特性

Vertically Segregated Structure and Properties of Small Molecule-Polymer Blend Semiconductors for Organic Thin-Film Transistors

著者 (13件)： SHIN Nayool (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Jihoon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  RICHTER Lee J. (National Inst. of Standards and Technol., MD, USA) ,  PRABHU Vivek M. (National Inst. of Standards and Technol., MD, USA) ,  KLINE R. Joseph (National Inst. of Standards and Technol., MD, USA) ,  FISCHER Daniel A. (National Inst. of Standards and Technol., MD, USA) ,  DELONGCHAMP Dean M. (National Inst. of Standards and Technol., MD, USA) ,  TONEY Michael F. (Stanford Synchrotron Radiation Lab., CA, USA) ,  SATIJA Sushil K. (National Inst. of Standards and Technol., MD, USA) ,  GUNDLACH David J. (National Inst. of Standards and Technol., MD, USA) ,  PURUSHOTHAMAN Balaji (Univ. Kentucky, KY, USA) ,  ANTHONY John E. (Univ. Kentucky, KY, USA) ,  YOON Do Y. (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 23  号： 3  ページ： 366-376  発行年： 2013年01月21日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液法で作製可能な高分子薄膜トランジスターに対して小分子半導体が適用され,非晶質Siと同程度の移動度が得られている。本研究では,有機薄膜トランジスターにおける小分子半導体2,8-ジフルオロ-5,11-ビス(トリエチルシリルエチニル)アントラジチオフェン(diF-TESADT)と3種類の絶縁性バインダー高分子とのブレンド薄膜の構造と性能を調べた。溶液法でボトムゲート/ボトム接合薄膜トランジスターを形成し,斜X線回折,NEXAFS,中性子反射および分光エリプソメトリーによる組織と輸送特性を評価した。その結果,垂直方向の偏析と結晶の規則化が,バインダー高分子により影響されること,さらに,電荷移動度に大きく影響することを明らかにした。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  ポリマブレンド ,  高密度ポリエチレン ,  ポリスチレン ,  薄膜 ,  微細構造 ,  偏析 ,  結晶形態 ,  分子間相互作用 ,  キャリア移動度 ,  電荷移動
準シソーラス用語： *有機FET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： 2,8-ジフルオロ-5,11-ビス(トリエチルシリルエチニル)-1,7-ジチアジシクロペンタ[b,i]アントラセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機薄膜トランジスター ,  小分子 ,  高分子ブレンド ,  偏析 ,  組織