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J-GLOBAL ID：201302242554359742   整理番号：13A0620004

すばらしく研磨されたサファイアのきらめき

The gleam of well-polished sapphire

著者 (2件)： HOWLAND Rebecca (KLA-Tencor, CA) ,  PIERSON Tom (KLA-Tencor, CA)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 56  号： 1  ページ： 26-27  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高輝度LEDの製造歩留まりと信頼性向上に不可欠なサファイア基板とその上で成長するGaNエピタキシャル膜の欠陥を解説した。欠陥生成がサファイアとGaNの結晶格子間隔の不整合によって生ずる応力に起因することを説明し,欠陥の分類とGaNエピタキシャル膜の特性に及ぼす影響について述べた。重要なことは,GaNエピタキシャル膜の欠陥がサファイア基板に内在することもある点である。このため,サファイア基板およびGaNエピタキシャル膜の両者を検査しなければならない。例えば,発光効率増強のためにあらかじめ周期的なバンプ列を形成したPSS(patterned sapphire substrate)は転位欠陥の減少に有効であるが,バンプが欠けていたり,繋がっていたり(ブリッジ)しているとGaN成膜時にhexagonal bump欠陥やcrescent欠陥を生じる恐れがある。欠陥検査に際しては,欠陥の種類と大きさを注意深く特定することが重要である。このことは,基板サイズを変えたとき(例えば4インチ径から6インチ径に),とくに念入りに検討することが重要である。このように欠陥の分類が重要であり,欠陥の数を知ることは欠陥の種類を知ることほどには問題解決の助けにならない。これには,入射光を何種類かに変えること(垂直,斜め入射)および検出形態を何種類かに変えること(specular,topography,phase)が有効である。

シソーラス用語： 基板 ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  薄膜 ,  *欠陥検査 ,  *発光ダイオード ,  *薄膜成長 ,  結晶格子 ,  格子不整合 ,  光
準シソーラス用語： *エピタキシャル膜 ,  *サファイア基板 ,  入射光

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 研磨 ,  サファイア