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J-GLOBAL ID：201302242632263897   整理番号：13A1638593

Ge(111)-c(2×8)及びAg/Ge(111)-(√3×√3)表面に成長したニッケル含有ナノサイズアイランド

Nickel-containing nano-sized islands grown on Ge(111)-c(2 × 8) and Ag/Ge(111)-(√3 × √3) surfaces

著者 (7件)： FU Tsu-Yi (National Taiwan Normal Univ., Dep. of Physics, 88, Sec. 4 Ting-Chou Rd, 116, Taipei, Taiwan) ,  TOMASZEWSKA Agnieszka (National Taiwan Normal Univ., Dep. of Physics, 88, Sec. 4 Ting-Chou Rd, 116, Taipei, Taiwan) ,  TOMASZEWSKA Agnieszka (Jan Dlugosz Univ., Inst. of Physics, Armii Krajowej Ave. 13/15, 42-200, Czestochowa, POL) ,  HUANG Xiao-Lan (National Taiwan Normal Univ., Dep. of Physics, 88, Sec. 4 Ting-Chou Rd, 116, Taipei, Taiwan) ,  LI Jhen-Hao (National Taiwan Normal Univ., Dep. of Physics, 88, Sec. 4 Ting-Chou Rd, 116, Taipei, Taiwan) ,  HSIEH Po-I (National Taiwan Normal Univ., Dep. of Physics, 88, Sec. 4 Ting-Chou Rd, 116, Taipei, Taiwan) ,  JHOU Ming-Kuan (National Taiwan Normal Univ., Dep. of Physics, 88, Sec. 4 Ting-Chou Rd, 116, Taipei, Taiwan)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 1-8  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.1ML Niを蒸着したGe(111)-c(2×8)表面及びAg/Ge(111)-(√3×√3)表面上のナノアイランドの形成を,走査型トンネリング顕微鏡(STM)によって観察した。670K未満の温度では,Niと個々の基板表面の間の反応が進行し,異なる構造:Ni/Ge(111)-c(2×8)表面上の2√7×2√7又は3×3再構成の平頂島に対し,Ni/Ag/Ge(111)-(√3×√3)表面上の7×7再構成の島を形成することが分かった。このことから,室温及び670Kの間の温度範囲では,中間のAg層がNi及びGe原子の間の混合を遅らせると推論した。その結果,成長した島は,純粋なNi原子から成る。670から770Kまでの温度範囲では,Ag/Ge(111)-(√3×√3)表面上で作られた大部分の島は,Ni/Ge(111)-c(2×8)表面上で形成される島と同じであり,670K超の温度でNi原子がGe原子と結合することを示している。しかしながら,研究対象の表面のSTMイメージの間の本質的相違は,Ni/Ag/Ge(111)-(√3×√3)表面上の大きな伸長した島の外観にある。後者の形成は,Ge(111)-c(2×8)及びAg/Ge(111)-(√3×√3)表面上のNi拡散のエネルギーにおける相違から説明される。Copyright 2013 Fu et al.; licensee Springer. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ゲルマニウム ,  基板 ,  半導体 ,  *ナノ構造 ,  *島状構造 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  銀 ,  記憶媒体 ,  磁気記録 ,  *ニッケル ,  金属薄膜 ,  電子ビーム蒸着 ,  表面構造 ,  元素半導体 ,  ナノアイランド ,  走査型トンネル顕微鏡法 ,  記録 ,  構造
準シソーラス用語： ゲルマニウム基板 ,  走査型トンネル顕微鏡観察 ,  磁気記録媒体

分類 (2件)： 金属の表面構造  (BK15020P) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  Ag ,  成長 ,  ニッケル