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J-GLOBAL ID：201302242791812583   整理番号：13A0636461

シリコン横型ナノpn接合におけるドーパントの個別性

Individual Dopant Nature in Si Lateral Nano-pn Junctions

著者 (11件)： PURWIYANTI Sri (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  PURWIYANTI Sri (Universitas Indonesia, Depok, IDN) ,  UDHIARTO Arief (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  UDHIARTO Arief (Universitas Indonesia, Depok, IDN) ,  NOWAK Roland (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NOWAK Roland (Warsaw Univ. of Technol., Warsaw) ,  MORARU Daniel (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MIZUNO Takeshi (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  HARTANTO Djoko (Universitas Indonesia, Depok, IDN) ,  JABLONSKI Ryszard (Warsaw Univ. of Technol., Warsaw) ,  TABE Michiharu (Sizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 445(ED2012 128-143)  ページ： 25-30  発行年： 2013年02月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール極薄SOIpn接合におけるドーパントの個別性について実験結果を報告する。30K以下では,暗状態と光照射下のいずれにおいてもランダムテレグラフシグナル(RTS)を観測した。暗状態では,2つのRTS電流レベルは空乏層中のドーパントによるキャリアトラップ効果と考えられる。光照射下でのRTSは,空乏層中のドナー・アクセプタペアにおける光誘起キャリアの充放電であることが示唆された。RTSを引き起こす空乏層中のポテンシャル揺らぎは,ケルビンプローブフォース顕微鏡(KFM)によって観測された。これらの結果は,ナノpn接合におけるドーパントの個別性とデバイス特性に対する重要性を表している。(著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  ナノ構造 ,  *PN接合 ,  横型 ,  *ドーパント ,  半導体素子 ,  超薄膜 ,  *半導体プロセス ,  光照射 ,  空乏層
準シソーラス用語： *SOI ,  シリコン ,  デバイス特性 ,  極薄膜

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  横型 ,  PN接合 ,  ドーパント ,  個別性