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J-GLOBAL ID：201302242999362611   整理番号：13A0992463

CdTe太陽電池の温度依存的電界反射研究

Temperature dependent electroreflectance study of CdTe solar cells

著者 (6件)： RAADIK T. (Tallinn Univ. of Technol., Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  KRUSTOK J. (Tallinn Univ. of Technol., Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  JOSEPSON R. (Tallinn Univ. of Technol., Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  HIIE J. (Tallinn Univ. of Technol., Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  POTLOG T. (Moldova State Univ., A. Mateevici str. 60, MD-2009 Chisinau, Moldova) ,  SPALATU N. (Moldova State Univ., A. Mateevici str. 60, MD-2009 Chisinau, Moldova)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 535  ページ： 279-282  発行年： 2013年05月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大規模光起電力応用に,テルル化カドミウムは有望な物質である。この論文では,電界反射法により,CdS/CdTeヘテロ接合太陽電池を調べた。太陽電池のCdSとCdTe層は,近接昇華法を用いて,中間処理工程無しに逐次成長した。温度域100~300Kで電界反射測定を行った。変換効率が4.1%と9.6%の2種類の太陽電池を調べた。この研究の主な関心は,太陽電池のCdTe薄膜の線幅パラメータとバンドギャップエネルギーの温度依存性である。CdTeの室温バンドギャップ値E_gは,高低両効率の太陽電池で,それぞれ1.499eVと1.481eVであった。測定したバンドギャップエネルギーは,単結晶CdTeの場合より小さい。低いバンドギャップエネルギーの原因には,CdTe表面にCdTe_1-xS_x固溶体層の形成が考えられる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  化合物半導体 ,  *太陽電池 ,  *硫化カドミウム ,  *ヘテロ接合 ,  半導体薄膜 ,  昇華 ,  物理蒸着 ,  *温度依存性 ,  *電界反射 ,  エネルギー変換効率 ,  パラメータ ,  *バンドギャップ ,  固溶体

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： CdTe ,  太陽電池 ,  温度依存 ,  電界反射 ,  研究